類似の単語または同義語 sram

eeprom    0.821451

dram    0.804314

simd    0.782563

mmu    0.782203

scsi    0.781418

mpu    0.779079

fpga    0.772928

デコーダ    0.771417

vram    0.769290

asic    0.767269

類義語または同義語 sram

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SRAM (ミサイル) SRAM(Short Range Attack Missile)は、冷戦中期にアメリカ空軍が運用していた空対地ミサイルの一種で、核ミサイルに分類される。日本語では「短距離攻撃ミサイル」などと訳される。制式名称AGM-69。
SRAM (ミサイル) 開発開始は1964年であり、1969年に発射試験が開始された。1972年から配備につけられ、1975年までに約1,500発が製造された。B-1A向けに改良型のAGM-69Bも計画されたが、B-1A計画の中止と共にAGM-69Bの開発も中止された。冷戦の緩和・終結および機器の老朽化に伴い、1990年に退役した。後継のAGM-131 SRAM IIも1991年に開発中止となっている。
SRAMカード 書き込みはきわめて高速だが、容量が小さく高価。キャパシタを用いるDRAMよりも少ない電力でデータを維持でき、EEPROMよりも使い勝手が良い為、小容量ながら磁気メディアを補完するコンパクトな外部記憶装置として、フラッシュメモリ登場までは広範囲に利用された。インタフェースとコントローラを一体化したSRAMカードとしては、ノートパソコンやワープロ専用機、電子手帳などの外部記憶メディアとして頻繁に利用されていた(PCカード規格ではない独自規格のものも存在した)。
1T-SRAM Mosysは単トランジスタ・ストレージセル(bit cell)をDRAMのように使用し、コントロール回路によりビットセルがSRAMのように機能するようにしている(このコントローラーはDRAMの仕様であるプリチャージやリフレッシュを完全に隠蔽している)。
1T-SRAM 1T-SRAM(および通常PSRAM)は標準のシングルサイクルSRAMインターフェースを持ち、SRAMとして振舞うロジックが取り囲む。
1T-SRAM MoSySは1T-SRAMをオンダイ組み込み用の物理IPとして市場に提供しており、SOC用途で使用可能である。
SRAMカード JEIDA/PCMCIA(PCカード)の初期の頃に普及した。
1T-SRAM 同時に1T-SRAMは複数メガビットのSRAMに比較しうるパフォーマンスを持ち、eDRAMより製造が容易であり、従来型のSRAMのように標準CMOSロジックプロセスで製造される。
1T-SRAM 1T-SRAMは小さなバンクの配列(通常128列×256ビット/列で合計32キロビット)として形成され、バンクサイズのSRAMキャッシュおよび機能回路と接続される。
SRAM (ミサイル) SRAMは、1発の重量が1t程度と、ハウンド・ドッグに比べ非常に小型軽量化されており、B-52の爆弾倉内のロータリー・ランチャーに8発、主翼下パイロンに12発も携行することが可能であった。しかし、エンジンとして固体ロケットモーターを用いているため、射程が160km程度とAGM-28よりは短かった。