類似の単語または同義語 sdram

dram    0.790911

ddr    0.782522

rdram    0.771024

gbit    0.761744

scsi    0.756409

gddr    0.755116

dimm    0.752292

agp    0.747041

sata    0.746942

オンボード    0.740397

類義語または同義語 sdram

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SDRAM SDRAMはコンピュータで広く使われている。元々のSDRAMだけでなく、そこから発展した世代であるDDR (DDR1)、DDR2、DDR3、DDR4 が量産されている。
SDRAM SDRAMのレイテンシは元々非同期型のDRAMに比べて無視できるものではなかった。実際初期のSDRAMは内部ロジックが複雑だったため、同時期の burst EDO RAM に比べて性能が低かった。SDRAM内部でのバッファリングはメモリの複数バンクへの操作をインターリーブできることに由来し、それによって実質的な帯域幅を向上させている。
SDRAM DDRx SDRAM でも基本的なコマンドは同じであり、若干追加がある。追加のモードレジスタは、バンクアドレスビットを使って識別され、3番目のバンクアドレスビットが追加されている。
SDRAM モードレジスタのロード・コマンドは全バンクがアイドル状態でなければならず、モードレジスタの変更が効力を持つまである遅延時間がかかる。
SDRAM リード割り込みは任意のアクティブなバンクで起きうるが、プリチャージ・コマンドがリードバーストに割り込むのは、それが同じバンクに対するものか全バンクに対するものだった場合だけである。異なるバンクへのプリチャージ・コマンドはリードバーストに割り込まない。
SDRAM ライト・コマンドでリードバーストに割り込むことも可能だが、やや難しい。ライトの際にはDQ線でSDRAMに書き込むデータを示す必要があるため、メモリコントローラはDQM信号を使ってSDRAMの出力を抑制する必要がある。DQMによるリードデータ抑制の効果は2サイクル遅延するが、ライトデータへの効果は即座に現れる。したがってライト・コマンドの少なくとも2サイクル前にDQMをアサートしてリードデータをマスクする必要があるが、ライト・コマンドを発行する時点にはDQMを下げておく必要がある。その間はわずか2サイクルであり、微妙なタイミング調整を必要とする。クロック周波数が高い場合は3サイクルを必要とすることもある。
SDRAM 自動プリチャージ付きのリード・コマンドの場合、プリチャージはコマンドに割り込むのと同じサイクルで開始される。
SDRAM 最近のキャッシュを持つマイクロプロセッサは、一般にキャッシュライン単位でメモリにアクセスする。キャッシュラインが64バイトの場合、64ビットのDIMMに8回連続アクセスする必要があり、SDRAMチップではそれを1回のリードまたはライト・コマンドで開始するよう設定できる。すなわち、モードレジスタで8ワードのバースト転送を設定すればよい(BL=8、BLとは「バースト長」)。
SDRAM キャッシュラインのフェッチは一般に特定アドレスからのリードで開始され、SDRAMは「クリティカルワード」を最初に転送する。ここでいう「ワード」はSDRAMチップまたはDIMMのデータ出力幅であり、典型的なDIMMでは64ビットである。SDRAMチップは、キャッシュライン内の残りのワードの転送順序を2種類サポートする。
SDRAM CKEがローレベルになるとSDRAMは処理をフリーズさせ、CKEがハイレベルになるまでその状態を保つ。