類似の単語または同義語 eeprom

sram    0.821451

eprom    0.810507

kbyte    0.801811

uart    0.793001

データレコーダ    0.791874

scsi    0.791538

dma    0.782153

atapi    0.781747

firewire    0.779337

huc    0.778562

類義語または同義語 eeprom

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EEPROM USBメモリのように大量のデータを格納する用途では、従来型のEEPROMよりもその一種であるフラッシュメモリなどの方が経済的である。EEPROMはフローティングゲートMOSFETの配列でできている。
EEPROM シリアルバス型のEEPROMでよく採用しているバス規格としては、SPI、I²C、マイクロワイヤ、UNI/O、1-Wire がある。これらのバスの信号線は1本から4本であり、結果としてEEPROMチップも8端子程度で済む。
EEPROM オペコードはEEPROMチップ毎に決まっており、それによって操作の種類を指定する。SPIの場合、次のような命令が一般に存在する。
EEPROM 書き換えの際、フローティングゲートMOSFETのゲート酸化膜は徐々に捉えた電子を蓄えていく。捉えられた電子が電界を発生することでそれがフローティングゲートに印加され、0と1を表す電圧の差が徐々に縮まっていく。ある十分な回数書き換えを行うとその差が判別できなくなり、そのセルの内容が0なのか1なのかわからなくなる。一般にメーカーはこのような問題が発生する書き換え回数を 10 かそれ以上としている。
EEPROM FeRAMやMRAMといったさらに新しい不揮発性メモリ技術がEEPROMを徐々に置き換えつつある。
EEPROM EEPROMは厳密にはメモリチップでないチップに必要に迫られて組み込まれることがある。例えばリアルタイムクロック、デジタル・ポテンショメータ、デジタル温度センサなどでは、校正情報などの電源を切った際に保持する必要があるデータをチップ内蔵のEEPROMに格納している。
EEPROM 多くのNOR型フラッシュメモリはハイブリッドな方式を採用しており、書き込みはホットキャリア注入で行い、消去は電界電子放出で行う。
EEPROM 1978年、インテル社の George Perlegos は初期のEPROM技術に基づいて Intel 2816 を開発したが、酸化膜の層を使い紫外線を使わなくともチップ自身がビットを消去できるようにした。Perlegos らは後にインテル社を退職して Seeq Technology を創業し、チャージポンプ回路を組み込んでEEPROMの書き換えに必要な高電圧をチップ内で発生できるEEPROMを開発した。
EEPROM 一部のEEPROMでは他に次のような命令をサポートしている。
EEPROM EPROMとEEPROMの違いは書き込みと消去の方式の違いである。EEPROMは電界電子放出(FNトンネリング)を利用して電気だけで書き込みと消去が可能である。